موضوعات پایان نامه رشته مهندسی الکترونیک

لیست موضوعات پیشنهادی برای پایان نامه رشته مهندسی الکترونیک :

• طراحی یک جمع کننده ی جدید با مصرف توان پایین با استفاده از مالتی پلکسر برگشت پذیر.
• طراحی حافظه ی دیکدری با مصرف انرژی پایین برای سیتم های با ولتاژ بسیار کوچک.
• طراحی مدارهای VLSI با استفاده از منطق سه به جای منطق باینری.
• آنالیز و مدل سازی لیزرهای تابش کننده عمو بر سطح کاواک (وکسل).
• Analysis and modeling of Vertical Cavity Surface Emitting Lasers.
• افزایش توان خروجی نوری تک مد در لیزرهای تابش کننده عمو بر سطح کاواک.
• طراحی تقویت کننده ی امپدانس انتقالی (TIA)کم مصرف و پهنای باند بالا در تکنولوژی ۰٫۱۸ µm CMOS.
• طراحی بهینه ی تقویت کننده ی محدود کننده ی بدون استفاده از سلف (Inductor-less Limiting Amplifier).
• طراحی تقویت کننده ی کم نویز (LNA) با پهنای باند بالا و بدون استفاده از سلف.
• طراحی مدارهای منطقی برگشت پذیر در منطق سه، با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی.
• طراحی یک VCO با پهنای باند بسیار بالا در تکنولوژی ۰٫۱۸ µm CMOS.
• آنالیز و بررسی لیزرهای تابش کننده عمود بر سطح کاواک یا VCSEL شامل چاه های کوانتومی.
• مدل سازی اثر انتقال حامل در چاه های کوانتومی.
• محصور کردن فوتون در ابعاد کوانتومی با استفاده از موجبرهای پلاسمونیکی.
• طراحی مالتی پلکسر سه سطحی برگشت پذیر با ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی با مصرف توان بسیار پایین.
• طراحی مدارات دیجیتالی توان پایین با منطق چند سطحی (Multi-valued Logic).
• طراحی جدید برای طراحی مدارهای VLSI با هدف نشتی پایین و سطح تراشه ی کوچک.
• طراحی مدار ضرب کننده با مصرف توان پایین با تکنولوژی CMOS.
• طراحی مدار ضرب کننده با سرعت بالا و مصرف توان پایین با ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی.
• کمینه کردن نشتی در طراحی مدار جمع کننده ی کامل با تکنولوژی CMOS.
• بررسی مقاومت های حافظه دار (Memristors) در طراحی VLSI.
• بهینه کردن مصرف توان و تاخیر در طراحی جمع کننده ی کامل بر پایه ی CMOS.
• بررسی اثر افزودن ناخالصی در رزوناتورهای حلقوی نوری سیلیکانی.
• بررسی خواص نوری نانولوله های کربنی.
• شبیه سازی و مدل سازی ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی CNTFET.
• بررسی و شبیه سازی اثر بالستیک در افزاره های نانو الکترونیکی.
• تشخیص پلاک خودرو با استفاده از پردازش تصویر.
• طراحی آشکار ساز گرافنی کارآمد با استفاده از نرم افزار متلب.
• محصور کردن فوتون در ابعاد نانو با استفاده از موجبرهای پلاسمونیکی.
• طراحی گیت های منطقی چندسطحی با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی.
• مدل سازی ممریستور برای کاربردهای نانوالکترونیک آینده.
• طراحی تقویت کننده های نوری برای کاربردهای مجتمع سازی در ابعاد نانو.
• طراحی مالتی پلکسر سه سطحی برگشت پذیر با ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی با مصرف توان بسیار پایین.
• طراحی مدارات دیجیتالی توان پایین با منطق چند سطحی (Multi-valued Logic).
• طراحی تقویت کننده ی کم نویز (LNA) با پهنای باند بالا و بدون استفاده از سلف.
• طراحی مدار مرجع گاف انرژی (Band gap Reference) مد جریان با مصرف توان پایین با تکنولوژی CMOS.
• بررسی موجبرهای پلاسمونیکی (Plasmonic Waveguides) برای کاربردهای مخابرات نوری با سطح تجمع پذیری بالا.
• بهینه سازی مصرف انرژی در شبکه های حسگر بی سیم.
• بررسی کار آمدی نانولوله های کربنی و گرافن در مدارات فشرده مدرن در تراشه های مدرن.
• طراحی موجبرهای پلاسمونیک با استفاده از روش finite partial element method.
• طراحی تقویت کننده های کم توان و کم نویز (LNA).
• طراحی انواع مبدل های آنالوگ به دیجیتال (ADC).
• طراحی Transmitter کم توان برای مصارف پزشکی.
• طراحی مدار ضرب کننده با مصرف توان پایین با تکنولوژی CMOS.
• کمینه کردن نشتی در طراحی مدار جمع کننده ی کامل با تکنولوژی CMOS.
• بهینه کردن مصرف توان و تاخیر در طراحی جمع کننده ی کامل بر پایه ی CMOS.
• طراحی یک جمع کننده ی جدید با مصرف توان پایین با استفاده از مالتی پلکسر برگشت پذیر.
• طراحی مدارهای VLSI با استفاده از منطق سه به جای منطق باینری.
• طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ با پهنای باند عریض و مصرف پایین با استفاده از تکنولوژی ۰٫۱۸ µm CMOS.
• طراحی تقویت کننده ی امپدانس انتقالی (TIA) کم مصرف با نرخ داده ی ۵ Gb/s در تکنولوژی ۰٫۱۸ µm CMOS برای کاربردهای مخابرات نوری.
• طراحی بهینه ی تقویت کننده ی محدود کننده ی بدون استفاده از سلف (Inductor-less Limiting Amplifier) برای کاربردهای مخابرات نوری.
• بررسی، آنالیز و شبیه سازی لیزرهای تابش کننده عمود بر سطح کاواک یا وکسل (VCSEL).